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三星據報明天起量產3納米晶片
韓國媒體《BusinessKorea》報道，三星電子（Samsung Electronics）將於明天（30日）開始量產環繞閘極技術 (GAA) 架構的3納米晶片，或將超越龍頭晶片代工廠台積電（美：TSM），取得領先地位。
GAA晶體管結構較目前的FinFET結構優勝，因該結構可減少晶片尺寸和用電消耗。據報，三星電子較台積電和英特爾（Intel）（美：INTC）更早開始使用該項新技術，台積電和英特爾計劃分別在今年下半年及明年下半年開始量產3納米晶片。
媒體又指，業界曾憂慮三星電子可能會因為低良率問題而推遲3納米量產，惟目前來看這些憂慮被證明是毫無根據。美國總統拜登上月曾訪問三星電子在韓國平澤廠房，當時集團副會長李在鎔向韓國總統尹錫悅和拜登介紹GAA技術的晶片產品。
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