彭博社引述消息指,美國考慮最早8月限制中國獲得人工智能記憶晶片及相關生產設備,阻止美光科技、SK海力士、三星電子等主要晶片存儲企業向中國出售高帶寬內存(HBM)晶片。
報道引述消息指,一旦實施,將涵蓋HBM2和包括HBM3和HBM3E在內的更先進晶片,以及製造這些晶片所需的工具。運行英偉達和AMD的AI加速器需要用到HBM晶片。
報道引述消息指,美光基本上不會受到新規影響,因為在2023年中國禁止美光記憶晶片用於關鍵基礎設施後,該公司已經不再向中國出口HBM晶片。
報道引述消息指,目前尚不清楚美國將使用什麼權力來限制韓國公司。一種可能性是外國直接產品規則(FDPR),該規定允許華盛頓對使用美國技術的外國製造產品實施限制,即使這些產品只使用了最少量的美國技術。SK海力士和三星都依賴Cadence Design Systems Inc.、應用材料等美國企業的晶片設計軟件和設備。
美國商務部通過發言人發表聲明稱,正在「繼續評估不斷變化的威脅環境,將在必要時更新出口管制措施以保護美國的國家安全和科技生態系統。我們仍然致力於與擁有共同價值觀的盟友密切合作」。
美光和SK海力士拒絕置評,三星則沒有立即回應置評請求。
報道引述消息指,新的限制措施可能最早在8月底公布,它們將作為更廣泛一攬子計劃的一部分。其他措施還包括對120多家中國公司實施制裁,以及針對多類晶片設備的限制,日本、荷蘭和韓國等主要盟友將被豁免。這意味著限制設備出口的措施將主要針對美國企業。
報道引述消息指,對HBM設備和DRAM的新限制旨在阻止中國領先的記憶晶片製造商長鑫存儲增強晶片技術。長鑫存儲現在有能力生產HBM2,並於2016年首次將其商業化。
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