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日經：中國半導體實力進步 僅落後台積電三年 美禁令僅拖慢中國技術革新
《日經》報道，根據日本專業拆解公司分析拆解報告表示，中國半導體實力持續進步，已逼近到僅落後台積電 3 年的水平。報道指，美國的禁令僅稍微拖慢中國的技術革新、但刺激了中國半導體產業的自家生產步伐。
半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治以2024年4月開賣的華為最新智慧手機「Huawei Pura 70 Pro」的應用處理器(AP)「KIRIN 9010」和2021年的華為高性能智慧手機用AP「KIRIN 9000」為例，「KIRIN 9010」由華為旗下海思半導體設計、中芯（0981）採用7納米技術進行量產，而「KIRIN 9000」則由海思半導體設計、台積電2021年時以5納米技術進行量產。
報道指，一般而言，電路線幅變細的話，半導體處理性能就會變高、晶片面積變小。清水洋治指出，中芯採用7納米量產的晶片面積為118.4平方毫米、和台積電5納米晶片面積(107.8平方毫米)差距不大，不過處理性能卻幾乎相同。雖然雙方在良率上雖有落差，但光從出貨的晶片性能來看，中芯的實力逼近到僅落後台積電3年，而中芯採用7納米技術卻能達到和台積電5納米同等的性能，反映海思半導體的設計能力有所揚升。
除了記憶體、感射器外，Pura 70 Pro合計搭載了37個主要半導體產品，其中海思半導體負責14個、其他中國廠商負責18個，非中國製產品僅DRAM（SK Hynix）、運動感測器（Bosch）等5個，即高達86%半導體為中國製。
清水洋治認為，美國政府的管制措施，現時僅稍微拖慢中國的技術革新，但卻刺激了中國半導體產業的自家生產腳步。
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