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日經:中國半導體實力進步 僅落後台積電三年 美禁令僅拖慢中國技術革新

《日經》報道,根據日本專業拆解公司分析拆解報告表示,中國半導體實力持續進步,已逼近到僅落後台積電 3 年的水平。報道指,美國的禁令僅稍微拖慢中國的技術革新、但刺激了中國半導體產業的自家生產步伐。

半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治以2024年4月開賣的華為最新智慧手機「Huawei Pura 70 Pro」的應用處理器(AP)「KIRIN 9010」和2021年的華為高性能智慧手機用AP「KIRIN 9000」為例,「KIRIN 9010」由華為旗下海思半導體設計、中芯(0981)採用7納米技術進行量產,而「KIRIN 9000」則由海思半導體設計、台積電2021年時以5納米技術進行量產。

報道指,一般而言,電路線幅變細的話,半導體處理性能就會變高、晶片面積變小。清水洋治指出,中芯採用7納米量產的晶片面積為118.4平方毫米、和台積電5納米晶片面積(107.8平方毫米)差距不大,不過處理性能卻幾乎相同。雖然雙方在良率上雖有落差,但光從出貨的晶片性能來看,中芯的實力逼近到僅落後台積電3年,而中芯採用7納米技術卻能達到和台積電5納米同等的性能,反映海思半導體的設計能力有所揚升。

除了記憶體、感射器外,Pura 70 Pro合計搭載了37個主要半導體產品,其中海思半導體負責14個、其他中國廠商負責18個,非中國製產品僅DRAM(SK Hynix)、運動感測器(Bosch)等5個,即高達86%半導體為中國製。

清水洋治認為,美國政府的管制措施,現時僅稍微拖慢中國的技術革新,但卻刺激了中國半導體產業的自家生產腳步。

 

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