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三星第五代HBM3E 8層版本據報已通過英偉達測試

路透社引述消息報道，三星電子第五代HBM3E記憶晶片的8層版本已經通過英偉達的測試。雖然，三星電子和英偉達尚未就8層HBM3E記憶晶片簽署供應協議，但很快就會簽署，並預計第四季度開始供應。