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三星新建半導體研發中心 擬6年投資逾1100億
韓國三星電子（Samsung Electronics）（韓：005930）宣布，公司位在於韓國首爾南部器興的新半導體研發中心破土動工，計劃至2028年，在佔地約10.9萬平方米的該區域內投資約20萬億韓圜（約150億美元或1170億港元），以加強其晶片技術領先地位。
三星在聲明中表示，該新研發中心將領導下一代記憶體和系統晶片設備與流程的先進研究，以及基於長期路線圖的新技術開發。
集團指出，器興園區靠近DS事業部的華城園區，是1992年世界上首個64Mb DRAM的誕生地，標誌着該家公司半導體領導地位的開始。
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